Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) и Петрозаводский государственный университет представили опытные образцы твердотельного накопителя (SSD) NVMe в форм-факторе U.2, созданного специально для построения высокопроизводительных систем хранения данных (СХД) на основе all-flash решений. Продукт ПетрГУ и GS Nanotech - это первый SSD в таком форм-факторе, полностью разработанный в нашей стране и произведенный на основе NAND-памяти, корпусированной в России. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ. Производство реализовано на мощностях инновационного кластера «Технополис GS», расположенного в Калининградской области.
Накопитель стал первым продуктом, произведенным в рамках консорциума разработчиков и производителей решений для СХД, соглашение о создании которого GS Nanotech, Петрозаводский государственный университет и «ДЕПО Электроникс» подписали в июле 2019 года в рамках выставки «ИННОПРОМ». Цель консорциума — развитие в России экосистемы разработчиков и производителей продуктов и сервисов для СХД, а также формирование рынка конкурентоспособных решений.
«Созданный нами консорциум обладает уникальными для России компетенциями в области корпусирования NAND-памяти для твердотельных накопителей — наиболее современных и производительных носителей информации для систем хранения данных. Мы с партнерами планируем развивать техническую базу и продолжим разработку продуктов для СХД на базе all-flash решений. Мы открыты для сотрудничества с другими участниками рынка разработки и производства СХД».
«Создание SSD в форм-факторе U.2 NVMe было ключевой задачей проекта, реализованного ПетрГУ и GS Nanotech в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы» Минобрнауки РФ. Дальнейшее развитие проекта предполагает построение высокопроизводительных решений для СХД и ЦОД на основе созданных накопителей NVMe. ПетрГУ продолжит исследования и разработки в области высокоплотных высокопроизводительных решений, предназначенных для хранения данных, и программно-аппаратных систем для обработки и анализа данных».
Технические характеристики
| Характеристики | Исполнение изделия | |
|---|---|---|
| GSPDC01TR16STF | GSPDD02TR16STF | |
| Емкость, Гбайт | 960 | 1 920 |
| Форм-фактор | U.2 | U.2 |
| PCIe | PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 | PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 |
| Ресурс, Тбайт | 1 347 | 2 694 |
| Скорость последовательного чтения, Мбайт/с | до 3 200* | до 3 200* |
| Скорость последовательной записи, Мбайт/с | до 1 000* | до 1 000* |
| Количество операций, случайное чтение (4K-QD32), IOPS | до 360 000* | до 350 000* |
| Количество операций, случайная запись (4K-QD32), IOPS | до 30 000* | до 30 000* |
| Рабочая температура, ?С | от 0 до +70 | от 0 до +70 |
| Температура хранения, ?С | от -40 до +85 | от -40 до +85 |
| Напряжение питания, В | от 11,04 до 12,96 | от 11,04 до 12,96 |
| Устойчивость к вибрации, Гц |
до 80 при амплитуде в 1,52 мм до 2 000 при перегрузке в 20 G |
|
| Ударостойкость, G | до 1 500 в течение 0,5 мс | до 1 500 в течение 0,5 мс |
| Устойчивость к влаге, % | до 93 при +40 °С | до 93 при +40 °С |
| Соответствие спецификации PCI Express® Base Specification Revision 3.1a | Да | Да |
| Соответствие требованиям RoHS | Да | Да |
| Соответствие спецификации NVMe 1.3 | Да | Да |
* Указано максимальное значение, зависит от используемой NAND Flash-памяти и емкости накопителя
GS Group с 2016 года реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD (с англ. «solid-state drive», твердотельные накопители) — немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером. В феврале 2018 года холдинг GS Group запустил массовое производство SSD собственной разработки. Сегодня производитель предлагает целую линейку твердотельных накопителей корпоративного класса емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах. В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей. Весь производственный цикл — разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий — реализован в инновационном кластере «Технополис GS», мощности которого позволяют выпускать более 1 млн устройств в год.
