Российский инвестиционно-промышленный холдинг, ключевой компетенцией которого является разработка и производство электроники. Также среди основных направлений деятельности — разработка и производство микроэлектроники, разработка и интеграция программных продуктов.

В современных условиях финансовый капитал не гарантирует успех бизнеса. Человеческие ресурсы, опыт, знания – не менее важные инструменты для построения динамичной, конкурентоспособной компании. Именно поэтому Разработка и Производство стали приоритетным направлением развития Корпорации Дженерал Сателайт.

К реализации в 2009 году запланированы программы, направленные на финансирование исследований и научных разработок. Так, в рамках сотрудничества с Санкт-Петербургским государственным университетом телекоммуникаций им. проф. М.А.Бонч-Бруевича, создается стипендиальный фонд, из которого будут выделяться гранты для одаренных студентов и лучших преподавателей. Лауреатам будет предложено работать совместно с инженерами Дженерал Сателайт над новыми стратегически важными для российской телекоммуникационной отрасли инновационными проектами.

Дженерал Сателайт поддерживает сотрудников в реализации и тех инновационных проектов, которые напрямую не связаны с деятельность компании. Труды программиста Международного центра разработки компании были представлены на 13-ой Международной Конференции по Силовой Электронике и Управлению Движением в Познани (Польша). Исследованиями Б.И.Резникова заинтересовались специалисты в разных странах, в частности, в Гентском Университете (Бельгия) и университете в Чили, а название нашей Корпорации внесено в базу данных IEEE.

Авторы работы первыми в мире использовали временной подход вместо традиционно принятого частотного для аналитического описания динамики работы трехуровнего преобразователя напряжения с "летающим" конденсатором. В результате были получены очень точные оценки (погрешность не превышает 2%) постоянных времени заряда конденсатора и тока нагрузки в виде компактных и легко интерпретируемых формул. Формулы получены впервые. Описанные результаты открывают широкие перспективы использования предлагаемого метода для изучения динамики более сложных схем преобразователей. На сегодняшний день уже получены аналогичные формулы для трехуровнего моста и четырехуровнего преобразователя.

( Презентация в PowerPoint )



Новости
Аналитический центр